결정 배양

트랜지스터를 성공적으로 생산하려면 방향이 알려진 게르마늄 또는 실리콘 단결정을 제조해야 합니다. 이는 대부분 ‘크리슈랄스키(Czochralski) 법’을 통해 이루어져 왔는데, 이 방법은 적절한 방향을 가진 시드 크리스탈을 용융물에서 서서히 끌어올리는, 이른바 ‘결정 인출’ 과정을 포함합니다. 용융물을 적절한 온도로 매우 좁은 범위 내에서 유지하면, 시드 크리스탈이 끌어올려질 때 용융된 물질이 시드 크리스탈에 부착되어 그 위로 성장하며, 응고되면 단결정을 형성합니다. 이 나라에서는 일반적으로 고주파 유도 가열을 사용하여 금속의 온도를 유지해 왔다.

유도 가열은 성공적인 결정 성장에 필요한 매우 정밀한 온도 제어를 제공합니다. Radyne은 부하에 전력을 정확하게 공급할 수 있도록 특수 제어 기능을 탑재한 다양한 전원 공급 장치를 제조합니다. 다양한 응용 분야에서 사용되는 서셉터 재료의 온도 범위가 각기 다르기 때문에, 원하는 결과를 얻기 위해서는 코일 설계와 주파수 선택이 매우 중요합니다.

결정질 재료의 생산 공정에서는 일반적으로 흑연, 몰리브덴, 텅스텐 또는 실리콘 카바이드와 같은 서셉터 재료를 제어된 불활성 분위기나 진공 챔버 내에 배치한 후 가열하는 과정을 거칩니다. 가열 주기는 생산 주기 전반에 걸쳐 지속적으로 이루어지며 엄격하게 제어됩니다. 전원 재시동 전자 장치를 통해 정전 발생 후에도 결정 성장 공정을 재개할 수 있습니다.