Kristal Yetiştirme

Transistörlerin başarılı bir şekilde üretilebilmesi için, yönelimi bilinen germanyum veya silikon tek kristallerinin üretilmesi gerekir. Bu, çoğunlukla Czochralski tekniği ile gerçekleştirilmiştir; bu teknikte, uygun yönelime sahip bir tohum kristal kullanılır ve bu kristal eriyikten yavaşça çekilir (“kristal çekme” olarak adlandırılır). Eriyik, uygun sıcaklıkta ve çok dar sınırlar içinde tutulursa, erimiş malzeme çekilen tohum kristale yapışır ve onun üzerinde büyüyerek katılaşınca tek bir kristal oluşturur. Bu ülkede, metali istenen sıcaklıkta tutmak için genellikle yüksek frekanslı indüksiyonla ısıtma yöntemi kullanılmaktadır.

İndüksiyonla ısıtma, başarılı kristal büyütme için gerekli olan son derece hassas sıcaklık kontrolünü sağlar. Radyne, yüke doğru şekilde güç aktarılmasını sağlamak üzere özel kontrol mekanizmalarına sahip bir dizi güç kaynağı üretmektedir. Çeşitli uygulamalarda kullanılan süseptör malzemelerinin sıcaklık aralıkları nedeniyle, istenen sonuçlara ulaşmak için bobin tasarımı ve frekans seçimi hayati önem taşır.

Kristal Malzeme Üretim süreçleri genellikle, kontrollü bir inert atmosfer veya vakum odası içine yerleştirilen grafit, molibden, tungsten veya silikon karbür gibi bir alıcı malzemenin ısıtılmasını içerir. Isıtma döngüleri, üretim döngüsü boyunca kesintisiz olarak devam eder ve sıkı bir şekilde kontrol edilir. Yeniden başlatma devreleri, elektrik kesintisinden sonra kristal büyütme sürecinin yeniden başlamasını sağlar.