晶体生长

要成功生产晶体管，必须制备出取向已知的锗或硅单晶。这通常通过乔克拉尔斯基法（Czochralski technique）来实现，该方法涉及使用取向正确的晶种，将其从熔体中缓慢拉出，即“拉晶”。如果将熔体维持在适当的温度并控制在非常狭窄的范围内，熔融材料会在晶种拉出时附着在其上，并在其表面生长，最终在凝固时形成单晶。 在美国，通常采用高频感应加热来维持金属的温度。

感应加热能够提供成功生长晶体所需的极高精度温度控制。Radyne 生产的一系列电源均配备了特殊控制装置，以确保向负载精确输送功率。由于不同应用中使用的感应底板材料温度范围各异，线圈设计和频率选择对于获得预期结果至关重要。

晶体材料的生产工艺通常包括对置于受控惰性气氛或真空室中的基板材料（如石墨、钼、钨或碳化硅）进行加热。在整个生产周期内，加热过程是连续的，且受到严格控制。重启电子装置可在停电后使晶体生长过程恢复。